Напряжения свыше 1.8 В губительны для Nehalem?

Сайт Nordic Hardware выразил свою точку зрения на проблему разгона процессоров поколения Nehalem. По словам наши коллег, процессоры Bloomfield будут иметь синхронизированные напряжения питания ядра и встроенного контроллера памяти, поэтому чрезмерный разгон памяти с повышением напряжения может быть губительным для процессора. Превышение напряжения 1.8 В чревато постепенной деградацией процессора вплоть до полного выхода из строя. "Смертельной дозой" для процессоров Nehalem может стать напряжение около 2.0 В. 

Проблема заключается в том, что работающие на высоких частотах модули DDR-3 обычно имеют высокие номинальные напряжения. Производители памяти будут вынуждены предлагать специально для платформы Nehalem модули DDR-3 с высокими частотами и низкими напряжениями питания. Коллеги сообщают, что для процессоров Nehalem с точки зрения быстродействия в реальных приложениях будут важнее частоты памяти, а не тайминги. Портрет идеального модуля памяти для Nehalem уже отчётливо виден: это продукт с низким напряжением питания, ослабленными таймингами и высокой частотой. 

На практике, как сообщает сайт Nordic Hardware, уже удалось разогнать модули Corsair типа DDR3-1333 до режима DDR3-1800 при напряжении 1.7 В. Надеемся, что обо всех нюансах разгона процессоров Bloomfield мы узнаем ещё до официального анонса.